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      光輻射電效應是將光輻射信號轉換成電信號的效應，分光電效應與熱電效應兩大類：光電效應是光照射到物體上使物體發(fā)射電子、或導電率發(fā)生變化、或產(chǎn)生光電動勢等的一種效應;熱電效應是物體吸收光輻射引起溫升而使物體電阻值變化、或產(chǎn)生溫差電動勢、或釋放電荷等的一種效應。下面分別討論。

光電效應可歸納為兩大類。

     （1）物質受到光照后向外發(fā)射電子的現(xiàn)象稱為外光電效應（或光電發(fā)射效應），這種效應多發(fā)生于金屬和金屬氧化物。

     （2）物質受到光照后所產(chǎn)生的光電子只在物質內(nèi)部運動，而不會逸出物質外部的現(xiàn)象稱為內(nèi)光電效應，這種效應多發(fā)生于半導體內(nèi)，它又可以分為光電導效應和光生伏特效應。

       當被激發(fā)的電子能逸出光敏物質的表面而在外電場作用下形成光電子流，這就是外光電效應，也稱為光電發(fā)射效應。在光電器件中，光電管、光電倍增管和某些特種光電器件，都是建立在外光電效應基礎上的。外光電效應主要的基本定律和性質如下。

     （1）斯托列托夫（Ctojietob）定律（光電發(fā)射第一定律）。當入射光線的頻譜成分不變（同一波長的單色光或者相同頻譜成分的光線）時，光電陰極的飽和光電發(fā)射電流Ik與被陰極所吸收的光通量Φk成正比。即

Ik=SkΦk                     (1-50)

式中，Sk是表征光電發(fā)射靈敏度的系數(shù)，即后面器件中稱的光電陰極的靈敏度。這個關系非常重要，因為它是用光電探測器件進行光度測量、光電轉換的一個最重要的依據(jù)。

     （2）愛因斯坦（Einstein）定律（光電發(fā)射第二定律）。發(fā)射出光電子的最大動能隨入射光頻率的增高而線性地增大，而與入射光的光強無關，即光電子發(fā)射的能量關系符合愛因斯坦公式。,

式中，h為普朗克常數(shù)；V為入射光的頻率；me為光電子的質量；υ表示出射光電子的速度：μo為光電陰極的逸出功。

       根據(jù)愛因斯坦提出的假說，每個電子的逸出都是由于吸收了一個光量子能量的結果。而且一個光子的全部能量如都由輻射能轉變成光電子的能量。因此，光愈強，也就是作用于陰極表面的量子數(shù)愈多，這樣就會有較多的電子從陰極表面逸出。同時，入射光線的頻率愈高，也就是說每個光子的能量愈大，陰極材料中處于最高能級的電子在取得這個能量，并克服位壘作用逸出界面之后，其具有的動能也較大。

    （3）光電發(fā)射的紅限。在入射光線頻譜范圍內(nèi)，光電陰極存在著臨界波長。當光波波長等于這個臨界波長時，光電子剛剛能從陰極逸出。這個波長通常稱為光電發(fā)射的“紅限”，也稱為光電發(fā)射的閾波長（光電陰極的長波閾馬）。顯然，在紅限處光電子的初速（即動能）應該為零。因此hv=<p0,臨界頻率vo=例曲，所以臨界波長為

      最短波長的可見光（380nm）在表面逸岀功（也稱為功函數(shù)）不超過3.2eV的陰極材料中產(chǎn)生光電發(fā)射。而最長波長的可見光（780nm）則只有在功函數(shù)低于1.6eV的陰極材料中才會產(chǎn)生光電發(fā)射。 

     （4）光電發(fā)射的瞬時性。這是光電發(fā)射的一個重要特性，實驗證明，光電發(fā)射的延遲時間不超過3x10¯¹³s的數(shù)量級。因此，實際上可以認為光電發(fā)射是無慣性的，這就決定了外光電效應器件具有很高的頻率響應。

       以上的結論嚴格說來是在溫度為絕對零度時才是正確的。因為隨著溫度的增加，陰極材料內(nèi)電子的能量亦將提高，而有可能在原來的紅限以下即已逸岀表面。但是，在實際上由于溫度提高時這種具有很大能量的電子數(shù)目為數(shù)很少。在高溫場合實際測量光電發(fā)射時，因受儀器靈敏度的限制，愛因斯坦定律和紅限的結論，對大多數(shù)金屬來說仍是正確的。

       最早的時候，認為光電發(fā)射效應只發(fā)生在陰極材料的表面，即陰極表面的單原子層或者離表面數(shù)十納米的距離內(nèi)。但在后來發(fā)現(xiàn)了靈敏度很高的陰極材料后，認為光電發(fā)射不僅發(fā)生在物體的表面層，而且還深入到陰極材料的深層，通常稱為光電發(fā)射的體積效應。而前者則稱為光電發(fā)射的表面效應。